在压阻传感器的仿真中,应变膜片和压敏电阻部分分别采用的N型硅和P型硅材料,所添加的硅材料中有两项材料属性弹性矩阵和压敏电阻耦合矩阵,其压敏电阻耦合矩阵数据如下:
{6.6e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],-1.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],
6.6e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],-1.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],
-1.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],6.6e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],
0, 0, 0, 138.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],0, 0, 0, 0,
138.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m], 0, 0, 0, 0, 0,
138.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m]}
问题1:参数中sigma0(nd[m^3])[S/m]为什么是硅的电导率?为什么是这种形式的?这是内部设定的函数吗?原始函数是如何定义的?
问题2:压敏电阻的耦合矩阵参数中为什么会有sigma0(nd[m^3])[S/m]?
{6.6e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],-1.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],
6.6e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],-1.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],
-1.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],6.6e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],
0, 0, 0, 138.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m],0, 0, 0, 0,
138.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m], 0, 0, 0, 0, 0,
138.1e-11[1/Pa]/sigma0(nd[m^3])[S/m]}
问题1:参数中sigma0(nd[m^3])[S/m]为什么是硅的电导率?为什么是这种形式的?这是内部设定的函数吗?原始函数是如何定义的?
问题2:压敏电阻的耦合矩阵参数中为什么会有sigma0(nd[m^3])[S/m]?