#元器件#Vishay 推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8 LR 封装的第四代 600 VE 系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。
第四代 600 V E 系列功率 MOSFET·Rps(ON)*QgFOM 达到业内先进水平·第四代器件，额定功率和功率密度高于 D²PAK 封装 产品·降低导通和开关损耗，从而提升能效
Vishay 推出首款采用新型PowerPAK®8 x 8 LR 封装的第四代600VE系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比， Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27%，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET 在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)下降60%，额定电流高于D2PAK 封装器件，同时减小占位面积。Vishay 丰富的MOSFET 技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着 SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600VE系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求一包括功率因数校正(PFC)和后面的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电(HID)灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动，以及电池充电器。SiHR080N60E采用小型PowerPAK8x8 LR 封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x1.65mm，占位面积比D2PAK 封装减小50.8%，高度降低66%。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳(漏极)热阻仅为0.25°C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK 封装高46%，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。SiHR080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.074Ω，超低栅极电荷下降到 42 nC。器件的FOM 为3.1Ω*nC，达到业内先进水平，这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而实现节能并提高2kW以上电源系统的效率。日前发布的 MOSFET 有效输出电容Co(er) 和 Co(tr) 典型值分别仅为 79 pF 和 499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如 PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文(Kelvin)连接，以提高开关效率。找元器件现货上唯样商城👋。器件符合 RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100%通过UIS 测试。 #元器件#
第四代 600 V E 系列功率 MOSFET·Rps(ON)*QgFOM 达到业内先进水平·第四代器件，额定功率和功率密度高于 D²PAK 封装 产品·降低导通和开关损耗，从而提升能效
Vishay 推出首款采用新型PowerPAK®8 x 8 LR 封装的第四代600VE系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比， Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27%，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET 在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)下降60%，额定电流高于D2PAK 封装器件，同时减小占位面积。Vishay 丰富的MOSFET 技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着 SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600VE系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求一包括功率因数校正(PFC)和后面的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电(HID)灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动，以及电池充电器。SiHR080N60E采用小型PowerPAK8x8 LR 封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x1.65mm，占位面积比D2PAK 封装减小50.8%，高度降低66%。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳(漏极)热阻仅为0.25°C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK 封装高46%，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。SiHR080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.074Ω，超低栅极电荷下降到 42 nC。器件的FOM 为3.1Ω*nC，达到业内先进水平，这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而实现节能并提高2kW以上电源系统的效率。日前发布的 MOSFET 有效输出电容Co(er) 和 Co(tr) 典型值分别仅为 79 pF 和 499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如 PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文(Kelvin)连接，以提高开关效率。找元器件现货上唯样商城👋。器件符合 RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100%通过UIS 测试。 #元器件#
