立维创展www/ldteq/com优势供应Infineon英飞凌微控制器、传感器、功率半导体、模拟器件、处理器和安全芯片等产品线，部分产品现货交付，欢迎来型号咨询了解。

IRFI540GPBF (VBMB1104N)参数说明：N沟道，100V，50A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2~4V，封装：TO220F。 应用简介：IRFI540GPBF是一款高功率N沟道MOSFET，适用于高电流和高功率需求的场景，如电机驱动、逆变器和电源开关等领域模块。

IRF7416TRPBF (VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.37V，封装：SOP8。 应用简介：IRF7416TRPBF适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。 其高电流承载能力和低导通电阻使其在大电流和低电压降场景中表现优异。 优势与适用领域：具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于大电流和低电压降的场景，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。

FDG6332C (VBK5213N)参数说明：N+P沟道，±20V，2.5/-1.5A，导通电阻130/230mΩ@4.5V，160/280mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围±0.6~2V，封装：SC70-6。 应用简介：FDG6332C适用于双极性驱动的应用，如电机控制和H桥驱动器等。 同时具备N沟道和P沟道，适合电流流向不同的场景。 优势与适用领域：具有双极性驱动能力，适用于电机控制、H桥驱动器和双极性信号开关等领域模块。

DMC2038LVT-7-F (VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A / -4.5A；导通电阻：20mΩ / 70mΩ @ 4.5V, 29mΩ / 106mΩ @ 2.5V；门源电压范围：20Vgs (±V)阈值电压：0.71V / -0.81V；封装：SOT23-6 应用简介：DMC2038LVT-7-F (VB5222) 是一款N+P沟道MOSFET，适用于需要控制双极性电流的应用。 其低导通电阻使其在电流控制电路中具有良好的性能。 常用于H桥电路、电机驱动、功率放大等。 优势：双极性应用：适用于需要控制双极性电流的电路。 低导通电阻：有助于降

APM4435KC-TRL (VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；门源电压范围：20Vgs (±V)阈值电压：-1.37V；封装：SOP8 应用简介：APM4435KC-TRL (VBA2317) 是一款P沟道MOSFET，适用于需要高功率开关控制的应用。 其高额定电流和低导通电阻适用于高功率开关控制。 常用于电源开关、电机驱动、工业自动化等。 优势：高功率能力：适用于高功率开关控制应用。 低导通电阻：降低功耗，提高效率。 可靠性：VBs

AOI444 (VBFB1630)参数说明：N沟道，60V，25A，导通电阻32mΩ@10V，36mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2.4V，封装：TO251。 应用简介：AOI444适用于中高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。 其高功率承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。 优势与适用领域：适用于中高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。 高功率承载能力满足大电流需求。

AO3423 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；门源电压范围：12Vgs (±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23 应用简介：AO3423 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。 其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。 常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。 优势：低导通电阻：减少功耗，提高效率。 可靠性：VBsemi作为知名半导体品牌，产品经过严格的质量控制，具有高的可靠性。 适用封

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英飞凌IQE013N04LM6SC型号的功率器件应用场合都有哪些呀？

现接in和in2，想通过读st1/2的状态判断Normal operation、Open load、Overtemperature状态，但当in1为高电平时无法判断出Normal operation、Open load模式，in0in1为不同电平时也无法判断 同时当表格中Overtemperature第一行所描述的都为in都为L时，st为高此时的状态为高是代表Overtemperature么

代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供IRF540NPBF技术参数详解 FET类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：100V 25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：44 毫欧 @ 16A，10V 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：71nC @ 10V Vgs（最大值）：±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1960pF @ 25V FET功能：- 功率耗散（最大值）：13

该统计数据显示了截至 1999 年至 2020 年财年末英飞凌的员工人数。截至 2020 年 9 月 30 日，英飞凌雇佣了 46,665 名员工，高于上一年的 41,418 名。 来源：https://www.icanic.cn/jinkou/Infineon.html

大佬们，我看了一天英飞凌tc387的数据手册，感觉很疑惑: 手册里真的只有数据，一点原理都不讲，一点内部的电路图都没有。这些芯片内部的模块（dsadc,pms,asclin）的原理图在哪里能找到啊？

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技（http://www.yxykj-ic.com/brand/1979）。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为

XMC4800E196K2048AAXQMA1是Infineon(英飞凌)的型号属于MCU微控制器，是一款高性能、节能MCU，也是XMC4000微控制器家族的成员，基于ARMCortex-M4处理器的核心。 一、XMC4800E196K2048AAXQMA1的中文参数 品牌：Infineon(英飞凌)品牌简介_Infineon(英飞凌)电子元器件_Infineon(英飞凌)代理商-中芯巨能 系列：AURIX™ 安装类型：表面贴装 封装/外壳：LQFP144 工作温度：-40℃~+125℃ 接口：ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT 零件状态：Active CPU内核：TriCore 主频速度(Max)

哪位大佬有BTS432E2BKSA1

在电子科技日新月异的今天，我们身边的各种智能设备和电子产品正不断演化，为了满足这个日益发展的市场，各种高性能和可靠性的电子元件变得至关重要。而在电子领域的重要元素之一，就是 MOS 管（MOSFET）——这种能够实现电子开关和放大功能的半导体器件。微碧半导体（VBsemi）自 2003 年创立以来，一直致力于 MOSFET 晶园开发设计、封装测试、销售服务和技术支持，成为国内外电子行业的一颗璀璨明珠。 作为一家国家级高新技术企业，微碧半导

申请人：@SSXX0415 申请感言：优化贴吧栏目。提升贴吧活跃度

微碧半导体受邀参加2023慕尼黑华南电子展，并诚邀全球各地对MOS管感兴趣的客户一同前去展会洽谈合作 近年来，随着科技的迅猛发展，电子产业成为推动经济增长的重要引擎。作为电子行业的重要组成部分，半导体技术的进步和创新对于推动整个行业的发展起到了至关重要的作用。在此背景下，我们自豪地宣布，微碧半导体（VBsemi）荣幸地受邀参加2023慕尼黑华南电子展（electronica South China）。 作为国家级高新技术企业，微碧半导体成立于2003年，专

本文从栅极浮空的现象、影响以及它的解决方法这三个方面进行讲解。 关于栅极浮空的概念 栅极浮空，顾名思义，就是 MOS 管的栅极不与任何电极相连，处于悬浮状态。在这种状态下，栅极电压为零，MOS 管的导通特性会发生变化（当 Vg（栅极电压）输入高电平时，N 管会导通，使得 P 管的栅极为低，从而让 P 管的 DS（漏源）导通。相反，当 Vg 为高阻态时，Vout（输出电压）输入不定，检查发现 P 管的栅极电压变化不定） 但是，并非所有 MOS 管的栅极都

在单片机I/O口驱动的选择中，为什么一般都选用三极管而不是MOS管？ 首先，我们先看看这两者的工作原理和特性。 三极管 三极管是一种双极型晶体管，具有三个控制电极：基极、发射极和集电极。 其中基极和发射极这两者之间的电流控制着集电极和发射极之间的电流。三极管的控制电路比较简单，只需要通过一个基极电流就可以控制集电极电流。 优点：电流放大能力强，输入电阻高，输出电阻低，可以承受较高的电压和电流。 （ 本文图片部分来

有个特别紧急的问题， 我用TASKKING烧录代码只擦UCB的BMHD2，（此时UCB的BMHD1和BMHD0是可用的），但是烧录失败，板子直接废了好像，就是出现下面这种情况，已经废了两块TC-387的板子了。 请问出现的情况是什么原因引起的？出问题的两块板子还可以修复吗？ 希望能回答一下，谢谢

LMX1204是一款高性能、低噪声、低功耗的频率合成器，主要应用于无线通信、卫星通信、雷达、航空航天等领域。 技术参数： 1. 工作频率范围：10 MHz至1.5 GHz 2. 相位噪声：-110 dBc/Hz @ 1 MHz偏移 3. 输出功率：-4 dBm至+5 dBm 4. 工作电压范围：2.7 V至5.5 V 5. 工作温度范围：-40℃至+85℃ 应用市场： LMX1204主要应用于以下领域： 1. 无线通信：用于生成无线电频率，如蓝牙、Wi-Fi、LTE等。 2. 卫星通信：用于卫星通信系统中的频率合成。 3. 雷达：用于雷达系统中的频率

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【英飞凌（Infineon）半导体简介】 英飞凌是全球领先的半导体公司之一，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。 【英飞凌（Infineon）半导体产品】 主要产品：ASIC、微控制器、功率器件、传感

Infineon英飞凌供应型号： IDM02G120C5 IRFH7440TRPBF IKW15N120T2 IKW08T120 IKW30N60T IKA15N60T 1EDI40I12AF 1EDI60I12AF IKW50N65H5 IDW100E60 IKW25N120H3 IKW40N60H3 IKW25N120T2 1EDI60N12AF IKW40N65H5 IKW75N60H3 IKW20N60T IR2104STRPBF IKW50N60T 有需用的滴滴，价格有优势，

微碧半导体受邀参加2023慕尼黑上海电子展，这是一场电子行业的盛会，也是一个展示未来科技的创新平台。展会将于2023年7月11日至13日在国家会展中心（上海）举办，微碧半导体将在展会上展示其最新的MOS管产品，并诚邀全球各地对MOS管感兴趣的客户一同前往展会洽谈合作。 作为一家国家级高新技术企业，微碧半导体成立于2003年，专注于MOSFET晶圆开发设计、封装测试、销售服务、技术支持等业务。公司以股份制企业形式运营，台湾控股65%，大陆持股

MOS管是一种常见的场效应管，其栅极电压的大小对其工作状态有着重要的影响。在工程实践中，有一些应用需要将MOS管的栅极电压加到较高的电压，比如15V。那么，什么样的MOS管栅极能承受15V电压呢？本文将围绕这个问题展开讨论，并提出使用微碧半导体（VBsemi）的MOS管的建议。 首先，我们需要了解MOS管的结构和工作原理。MOS管由源极、漏极和栅极组成，其中栅极与漏极之间的电场通过栅极电压控制漏极电流。在正常工作状态下，MOS管的栅极电压通

UCC27712是德州仪器（TI）推出的一款高压、高速、低侧MOSFET驱动器。其主要技术参数包括： 1. 工作电压范围：4.5V至60V 2. 驱动电流：4A峰值、2A平均值 3. 上升/下降时间：10ns 4. 占空比：50%至100% 5. 工作温度范围：-40℃至125℃ 6. 封装形式：8引脚SOIC UCC27712广泛应用于高压、高速、低侧MOSFET驱动器领域，如电机驱动、电源转换器、UPS、太阳能逆变器、电动汽车充电器等。其特点是高精度、高效率、高可靠性、低功耗、低EMI等。 更多芯片品牌型号的技术参数htt

TPS54360B是一款高效率、同步降压DC-DC转换器，由德州仪器（TI）生产。其主要技术参数包括： 1. 输入电压范围：4.5V至60V 2. 输出电压范围：0.8V至0.9×输入电压 3. 输出电流：3A 4. 效率：高达96% 5. 工作温度范围：-40℃至125℃ 6. 封装：5mm x 6mm QFN封装 TPS54360B广泛应用于工业、通信、汽车、医疗等领域，主要用于电源管理、电机驱动、LED照明、无线通信等方面。 其高效率、高可靠性、低成本等特点，使其成为许多应用场景的首选。 例如，可以用于汽车电子系

TS2431是一款低压差稳压器，具有以下技术参数： 1. 工作电压范围：2.5V至16V 2. 输出电压范围：1.24V至15V 3. 最大输出电流：100mA 4. 静态电流：80μA 5. 负载调整率：0.1%/mA 6. 温度系数：60ppm/℃ TS2431主要应用于需要稳定电压的电子设备中，例如： 1. 电源管理系统 2. 通信设备 3. 汽车电子系统 4. 工业控制系统 5. 家用电器 TS2431的优点是低静态电流和低压差，能够提供稳定的输出电压，适用于需要长时间运行的电子设备。 更多芯片品牌型号的技术参数http://www.ics

BSR57是一款PNP型晶体管，其技术参数如下： 最大集电极-基极电压：-45V 最大集电极-发射极电压：-45V 最大发射极-基极电压：-5V 最大集电极电流：-100mA 最大功率：625mW 最大工作温度：150℃ BSR57常用于低噪声放大器、射频放大器、混频器、振荡器等电路中。 其高频特性优良，适用于高频信号放大和处理。同时，BSR57还具有低噪声、高增益、高线性度等优点，可用于需要高精度放大的应用场合。 更多芯片品牌型号的技术参数http://www.icsztop.com 2N7002 BSS123 BSS1

ESD5Z6.0T1G是一款双向ESD保护二极管，由安森美ON公司生产。其主要技术参数如下： - 工作电压：6.0V - 最大峰值脉冲电流：5A - 最大反向漏电流：0.1μA - 封装形式：SOD-523 ESD5Z6.0T1G主要应用于电子产品中，用于保护电路免受静电放电（ESD）等电磁干扰的影响。其常见应用场景包括： - 手机、平板电脑等移动设备中的USB接口保护 - 电视、电脑等家用电器中的HDMI接口保护 - 汽车电子中的CAN总线保护等 总之，ESD5Z6.0T1G是一款高效可靠的ESD保护二极管，广泛应用于

LS1028ASE7PQA是一款高性能的处理器芯片，由恩智浦NXP公司生产。它采用了ARM Cortex-A72架构，拥有8个处理器核心，主频高达1.6GHz。此外，它还配备了多种外设接口，包括USB、PCIe、SATA、以太网等，可广泛应用于网络通信、工业控制、嵌入式系统等领域。 LS1028ASE7PQA的主要技术参数如下： - 处理器核心：8个ARM Cortex-A72核心 - 主频：1.6GHz - 缓存：4MB L2缓存 - 内存接口：2个DDR4 SDRAM接口，支持ECC - 存储接口：2个SATA 3.0接口，1个eMMC 5.1接口，1个SD/MMC接口 - 网络接口

LX2160SC72232B是一款高性能网络处理器，由恩智浦NXP公司生产。它采用16个ARM Cortex-A72核心，主频高达2.2GHz，支持多线程和虚拟化技术，可用于高性能计算、云计算、网络安全、数据中心等领域。 该处理器还配备了多个高速接口，包括10GbE、40GbE、PCIe Gen4、USB 3.0等，可实现高速数据传输和处理。此外，它还支持多种操作系统，如Linux、VxWorks、QNX等。 LX2160SC72232B可用于以下应用： 1. 云计算服务器：可用于构建高性能、高可靠的云计算服务器，提供快速的数

AD7298是一款16位、8通道、带温度传感器的模数转换器（ADC），由亚德诺半导体（ADI）公司生产。它具有以下技术参数和应用： 技术参数： - 分辨率：16位 - 通道数：8 - 最大采样率：250 kSPS - 工作电压范围：2.7 V至5.5 V - 低功耗：1.3 mW（典型值） - 内置温度传感器 - SPI接口 应用： - 电池管理系统 - 电机控制 - 电源监测 - 温度测量 - 工业自动化 总之，AD7298是一款高精度、低功耗的ADC，适用于多种应用场景。 更多芯片品牌型号的技术参数http://www.icsztop.com AD6