为了提高核心器件IGBT、MOSFET等开发检测能力，及时有效剔除存在产品中缺陷隐患的不合格产品，实现自主产品维修，节约产品维护成本，提高产品质量的可靠性，一套动静态、雪崩、浪涌、老化可靠性等自动化大功率半导体器件测试系统，可用来满足核心功率器件的维修检测与实验室的测试研发需要。 半导体功率器件的动态参数的优良决定着器件的开关性能，通常希望的功率器件的开关速度尽可能得高、开关过程段、损耗小。但是在实际产品应用中

在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以IGBT为代表的功率半导体器件以其优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、智能家电、交流电机等各个领域。在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的du/dt和di/dt引起的电压电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降，同时也会带来大量的电磁污染。而合理的IGBT测试技术，不仅能够准确测试IGBT的各项器件参数，而且

在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以IGBT为代表的功率半导体器件以其优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、智能家电、交流电机等各个领域。在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的du/dt和di/dt引起的电压电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降，同时也会带来大量的电磁污染。而合理的IGBT测试技术，不仅能够准确测试IGBT的各项器件参数，而且

在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以IGBT为代表的功率半导体器件以其优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、智能家电、交流电机等各个领域。在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的du/dt和di/dt引起的电压电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降，同时也会带来大量的电磁污染。而合理的IGBT测试技术，不仅能够准确测试IGBT的各项器件参数，而且

在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以IGBT为代表的功率半导体器件以其优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、智能家电、交流电机等各个领域。在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的du/dt和di/dt引起的电压电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降，同时也会带来大量的电磁污染。而合理的IGBT测试技术，不仅能够准确测试IGBT的各项器件参数，而且

为什么要进行浪涌测试？ SiC器件虽然拥有诸多优势，但是由于SiC MOSFET栅氧工艺的局限性，其可靠性存在不少问题。 如果要实现SiC MOSFET的广泛应用，可靠性问题是必须要解决的一个问题。其中，浪涌可靠性是器件可靠性指标的一种，是指MOSFET承受浪涌电流的能力。浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。 在电子设计中，浪涌主要指的是电源刚开通的那一瞬息产生的可能高于电源本身的强力

MOSFET/IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其动态特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的动态性能具有极其重要的实际意义。 EN-1230A分立器件动态参数测试系统，是针对MOSFET与IGBT分立器件的动态参数如开关特性、栅极电荷、短路特性、二极管的反向恢复特性、结电容等专门设计的一套全自动测试系统，额定测试电流不超过200A，测试电压不超

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT广泛应用于电焊机、中高压变频器、新能源汽车、光伏并网逆变器、有源电力滤波器、无功补偿装置、柔性高压直流输电等各个大中功率设备之中。 IGBT无疑是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种，而建立适合高压大容量IGBT器件和模块的测试平台，探索一整

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT广泛应用于电焊机、中高压变频器、新能源汽车、光伏并网逆变器、有源电力滤波器、无功补偿装置、柔性高压直流输电等各个大中功率设备之中。 IGBT无疑是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种，而建立适合高压大容量IGBT器件和模块的测试平台，探索一整

对于任何一个器件，在使用之前，无论是生产方还是使用方都会进行充分的验证，以确定产品的性能是否符合相应的需求。今天我们就来说一说有关IGBT的一项比较重要的测试——双脉冲测试(Double Pulse Test)。 为什么叫双脉冲测试？单脉冲不可以吗？ 在大部分电力电子装置中，负载的电感量都比较大，在IGBT关断后，电感电流一般不会断流，二极管会一直续流，在此时开通IGBT，会有二极管的反向恢复过程。而单脉冲实验中是没有二极管反向恢复过程的，

SiC功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等，其中： （1）静态测试：通过测试能够直观反映 SiC 器件的电学基本性能，可简单评估器件的性能优劣。 各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要的作用。小编推荐一款SiC静态参数测试系统ENJ2005-C，该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的静态参数，系统

一、IGBT应用技术的讨论 IGBT中文称之为场效应双极晶体管或隔离栅双极晶体管。IGBT已经被各种电力电子产品广泛应用，在中大功率的变流器中为主流器件。IGBT的应用技术远比MOSFET复杂，有必要对IGBT应用技术作深入的探讨。 二、IGBT的目标用户 主要目标用户为驱动各类电机的调速； 新能源的变流器：风能发电，太阳能发电（光伏）； 稳压开关电源类，高频直流焊机（恒流）等。 其他：谐波治理，高压直流输变电，电磁炉，UPS等等。 三、IGBT的前沿应

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州扬杰等）；模块类（嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等）；设计类（青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工类（上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了，IGBT的测试

1、系统概述 ENL3010系列FRD浪涌电流测试系统的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。浪涌电流试验仪是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点： 1、该试验台是一套大电流、高电压的测试设备，电流最大可扩展至20kA,带阻断功能的设备电压可扩展至10kV,对设备的电气性能要求高。 2、该试验台的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。 3、该试验台采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转

一、 概述 向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初