先上原帖链接
http://www.anandtech.com/show/9330/exynos-7420-deep-dive
原文很长，废话不少，我大概读了一下，转一些个人觉得比较重要的点吧。
感兴趣的话还是建议自己去看原文。因为我翻的也不一定都对，也有可能会遗漏一些重要的信息

1,三星的14nm工艺
首先，7420基于14nm FinFET工艺这个说烂了，不废话了。核心面积78mm² 比 Exynos 5433的 113mm²小了44%，anand表示超出预料。 由于三星说过14nm工艺会继承20nm的BEOL (Back-End-Of-Line, 最占面积的金属层)，Anand本来觉得7420不会比5433小很多。
原因查清，因为三星借用的是20nmLPM的BEOL而5433使用的是20nmLPE，20nm的LPM本来就比LPE要小，所以导致了7420很小。而为什么我们从来没见过20nm LPM这个东西，因为它被三星砍掉了，直接进化到14nm 了

顶

赶上直播了，前排看戏赶上直播了，前排看戏

前排留名

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前排~

5420面积比A8X还大………

从5433和7420的GPU部分面积来看，7420比5433小了41%左右，但是考虑到7420有8核心而5433只有6个，再减掉2个GPU的1.75mm²x2也就是3.5mm²，实际同等模块的面积缩小达76%。
对于7420如此之小的GPU面积，Anand表示有两种可能，1使用了更加简洁的基本单元库，2进一步优化了布线。
同时Anand评价说7420在集成了最多的GPU核心和LPDDR4等新技术的前提下，依然做到了Exynos历史上最小的核心（之一）

说了一堆关于ASV的废话，这个体制问题大家都懂我就不翻译了，转张图吧，黄线我猜是ASV10左右吧，也就是最多的那种。
另外Anand提出ASV低的芯片静态漏电比较少但是动态漏电大，而现在CPU动态漏电远远高出静态漏电，所以依然是高ASV的比较省电。

另外Anand表示他们还没见过低于ASV6的7420，我记得巴黎已经有悲剧的吧友拿到2还是什么的了吧……

另外7420的新技术包括加入了一枚Cortex M3 专门用来做动态功耗控制，这个Cortex M3被称作APM，大约就是高级电源管理芯片。
此芯片可以在预设电压的基础上再根据实际情况做进一步的降压，以达到节能的目的。
Anand给出的数据是，APM可以在ASV bin的基础上最多再给CPU降压25mV，给GPU和内存控制器降压12.5mV。
810和TK1也使用了类似的实时闭环反馈电压调节系统，但是这个系统通常是用来代替体质系统的，以达到降低生产成本之类的目的。（810没有体制吗？怎么感觉这里说的不太对，原文Qualcomm in the Snapdragon S810 and Nvidia in the Tegra K1 are two other vendors who’ve recently switched over to closed-loop systems, and similarly to TI, they’ve dropped traditional fixed binned voltage tables and rely solely on HPMs to dictate the operating voltages.）
而7420同时使用闭环反馈实时调整和体质bin，以期达到更好的省电效果。
经过实验，7420的运行电压相当低，A53可以运行在587mV上，内存总线可以运行在575mV，而相比之下5433的内存总线最低只能到750mV

2.Exynos 7420架构

值得注意，760MP8和4xA57处于相隔最远的两角，并不相邻，如此是为了更好的散热。