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BE高压无缝RAM[20b] 1:ram颗粒: 框

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BE高压无缝RAM[20b]
1:ram颗粒:
框架与一次压缩:Overload过载
布线与二次压缩:杜杜蛇
2:总体构建与时序:Overload过载
3:体积=1×4×5(宽长高)
4:速度:2t/bit,算是比较一般的速度
5:容量:32×8×4=1024bit=1Kb
6:寻址方案:字寻址
7:扩展方案:位扩展
感谢杜杜蛇大佬!(安排)


IP属地:天津来自Android客户端1楼2020-08-24 15:49回复
    家里电脑坏了,只能用笔记本渲染了,太蔡了




    IP属地:天津来自Android客户端2楼2020-08-24 15:50
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      IP属地:天津来自Android客户端3楼2020-08-24 15:50
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        存档还是老样子,扔到网易去


        IP属地:天津来自Android客户端5楼2020-08-24 15:53
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          可怜的be,还要塞这么多毒查和活塞
          体积好评


          IP属地:贵州来自Android客户端6楼2020-08-24 21:00
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            其实be模电ram是可以做到5blocks/bit的,而且竖式堆叠组多通道的话也是可以做到比较低的延迟


            IP属地:吉林来自Android客户端7楼2020-08-24 23:31
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              就是这个,那四个上面放着玻璃的位置表示最底下需要用活塞推,本来长度是6格,背靠背堆叠长度就是五格,所以是5*2*3/4bits。
              不过话说这玩意控制线续信号挺麻烦的...


              IP属地:吉林来自Android客户端8楼2020-08-24 23:53
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                话说回来,像这种一个单元一个比特的RAM颗粒,be里面还有比这个更小的设计吗?


                IP属地:天津来自Android客户端9楼2020-08-25 00:01
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                  大佬,这中间的地方能发详细一点吗?


                  IP属地:广东来自iPhone客户端10楼2020-09-20 08:37
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