氮化铝(ALN)其导热率是氧化铝Al2O3陶瓷的5-10倍，线膨胀系数与硅接近，体积电阻率高，介电常数和介电损耗小，而且无毒，耐高温和腐蚀，力学性能良好，综合性能远优于Al2O3和BeO。氮化铝(ALN)具有高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、热膨胀系数、与硅匹配好等特性，不但用作结构陶瓷的烧结助剂或增强相，尤其是在近年来大火的陶瓷电子基板和封装材料领域。比如，集成电路随着小型化、精密化趋势能耗密度急剧增长，因此对电路基板、封装材料的散热等，都提出了更高要求，氮化铝以其优异的导热性能和接近硅的热膨胀系数等特性冠绝同侪。氮化铝(ALN)是一种人工合成矿物，并非天然存在于大自然中。ALN的晶体结构类型为六方纤锌矿型，具有密度小(3.3g/cm3)、强度高、耐热性好（约3060℃分解）、热导率高、耐腐蚀等优点。
