英诺赛科作为全球领先的硅基氮化镓IDM企业，当前出货量已突破1500万颗，其中应用于快充的高压器件已经被联想、努比亚、魅族、Lapo、ROCK、REMAX、品胜、MOMAX、QCY等多家知名品牌和厂商的上百款产品所采用，出货量达900万颗，成为全球GaN功率器件出货量最大的品牌之一。在即将到来的快充产业峰会上，英诺赛科也将同步展示适应全功率段的主推氮化镓功率器件INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A、INN650DA260A，搭配超薄的DFN封装，实现高密度、高频、高可靠性、简洁的快充方案设计。
INN650D150A
这是一颗耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，得益于工艺改进，相比英诺赛科之前的氮化镓器件，性能有明显的提升，导阻典型值为115mΩ。
INN650D150A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。同时，INN650D150A采用DFN8*8封装，可直接替换INN650D01和INN650D02等。INN650D260A是INN650D02的升级产品，性能升级导阻更低，耐压650V，瞬态耐压750V
INN650DA150A采用DFN5*6封装，耐压650V，瞬态耐压750V，导阻典型值为115mΩ。参数与上一款产品一致，封装由DFN8*8缩小为DFN5*6，性能不变体积更小。
INN650D260A是INN650D02的升级产品，性能升级导阻更低，耐压650V，瞬态耐压750V。
INN650DA150A具有极低的热阻，搭配DFN5*6封装，可应用于高功率密度场合，提供高功率输出。支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。
需要更多规格书参数索取 177*2422*0615 wx同号，