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WD TREX 彻底摆脱脚本限制的自校准

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西数轻微坏道硬盘的快速维修
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这篇文章当中讲解到的所有技术适用于西数的所有机械硬盘(当然得是西数固件的,日立盘体西数贴标的盘用不了)。技术也不是什么新奇的技术,大概在十年之前就已经有人涉及过这些东西。这样的快速维修流程不依赖通刷固件,不降低容量,只靠TREX自身的功能进行维修。特别是对于多碟片的大容量硬盘,从头开始刷固件不仅费时间,还要面临砍头降容的风险,用这种方法进行维修,时间显著缩短而且大概率不会降低容量。


IP属地:上海来自iPhone客户端1楼2024-02-06 17:23回复
    这种维修方式有前提条件:
    1. 磁头不能损坏。当然了你也可以手动砍头重设容量然后按照这种方式跑。
    2. SMART 05项也就是重映射扇区数目不能爆红。爆红说明硬盘用于重映射的剩余扇区已经接近耗尽,用这种方法维修后很可能会降低容量(比如1TB变为996GB或其他容量)。
    下面结合具体的硬盘例子进行分析。


    IP属地:上海来自iPhone客户端2楼2024-02-06 17:28
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      我一直想收藏一块应该是西数最老的1TB笔记本硬盘WD10TPVT,但一直没有在闲鱼上找到成色好的坏道硬盘,就在前几天终于找到一块,立刻拍下


      IP属地:上海来自iPhone客户端3楼2024-02-06 17:32
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        这块硬盘卖家没有扫描,只查看了SMART,显示有C5,01项读取错误率有计数。
        上机,进入TREX,确实是Helios家族,3碟6头的15mm厚盘,1TB。
        输入smartrpt,查看硬盘的smart情况。我并不清楚到底有多少坏道,但可以看到C5计数574,05计数为0。01有计数,可以看到出现读取错误的主要是5磁头。其他的磁头数值都是200,5头的数值为110(这个数值最大就是200为正常,越小说明该磁头坏道越多)。


        IP属地:上海来自iPhone客户端4楼2024-02-06 17:38
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          输入sflog查看硬盘的原厂自校准记录。2012年及之前生产的西数硬盘,其PST自校准流程都是老式的D8-D1-DD-DB,流程简单。原厂校准流程当中1头缺陷记录最多约为4000,3头为3000,其余的都在1000-2000的范围内。
          输入sfall加载框架,并得到硬盘的DCM信息。


          IP属地:上海来自iPhone客户端5楼2024-02-06 17:45
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            首先要对硬盘的固件进行部分初始化,清除部分ARCO日志以及全部PST校准记录。


            IP属地:上海来自iPhone客户端6楼2024-02-06 17:47
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              第一步是运行Full ARCO,用户区高级优化测试。对于这种老盘,校准程序都在C4模块当中。根据西数的技术文档,这一步会对用户区进行包括相邻磁道干扰校准,写入电流调整等十几项校准,并改善读写错误率。


              IP属地:上海来自iPhone客户端7楼2024-02-06 17:53
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                Full ARCO耗时4小时20分钟。结束之后开始运行硬盘随机读写,目的是为了升高硬盘的温度,为Hot ARCO做准备。


                IP属地:上海来自iPhone客户端8楼2024-02-06 17:55
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                  在执行全盘随机读写的时候我发现这个盘虽然是三碟,在采取适当的保温措施的情况下只能升高到40度(前段时间用这种方法跑的一个WD10SPCX,双碟1TB很轻松就能达到47度),推测是由于这种老硬盘支持AAM(自动噪声控制,它决定硬盘的寻道速度从而决定硬盘的随机读写性能)因此达不到太高的温度。严格来说这是没有达到Hot ARCO的要求的,于是调整一下Hot ARCO的默认参数,开始优化流程。


                  IP属地:上海来自iPhone客户端9楼2024-02-06 18:00
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                    Hot ARCO共计消耗1小时44分钟。由于这块硬盘并没有运行TPI调整和KFCI测试,因此磁道分布没有变化,也就无需运行耗时极长的B2全盘写RRO测试了,直接进入D8-D1流程,开始全盘写扫描缺陷。


                    IP属地:上海来自iPhone客户端10楼2024-02-06 18:04
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                      全盘写用了5小时19分钟。在DD流程增益校准后,开始DB流程:全盘读取扫描缺陷。


                      IP属地:上海来自iPhone客户端11楼2024-02-06 18:07
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                        全盘读取扫描消耗了大概5个小时,为了防止后背扇区不足导致爆头,我选择跳过D5的簇测试(这一点在企业盘的校准中经常见到),直接执行D4流程将扇区记录合并为磁道记录。
                        合并后的各头缺陷数量如图2所示,紧接着由缺陷记录生成硬盘的P表,再由P表生成编译表(3300,3301流程)。幸运的是备用扇区充足,顺利通过。


                        IP属地:上海来自iPhone客户端12楼2024-02-06 18:13
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                          进行全盘写入加P表(B9),再对部分区域进行全盘读取加P表(BA,后续的一些测试会用到这部分扇区)。


                          IP属地:上海来自iPhone客户端13楼2024-02-06 18:19
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                            在此之后,我还运行了大量的在C4模块当中的优化程序,这些程序不会在自校准的记录当中留下痕迹,但仍然是必不可少的(这几个虽然都是C4,但测试的项目不同)。


                            IP属地:上海来自iPhone客户端14楼2024-02-06 18:23
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                              图1是加载/卸载测试,可以听到清晰的磁头来回复位和加载的声音。图2是碟形全盘碟形寻道测试,这些都是原厂就有的校准流程。


                              IP属地:上海来自iPhone客户端15楼2024-02-06 18:27
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