我发现许多人对光刻机精度的理解有很大问题。比如说上海微电子的90nm干式光刻机,中国电科的65nm干式光刻机,这里的90nm以及65nm指的是单次曝光精度,而不是实际最终成品的精度。比如说asml的1980i光刻机2050i光刻机单次曝光精度都是38nm,实际产品可以达到7nm的水平。这是多重曝光的缘故。所以,以此类推,中国电科的65nm干式光刻机采用同样的多重曝光可以达到14nm甚至12nm的实际产品水平。而2016年的苹果7plus手机用的a10芯片采用的是台积电16nm工艺,英特尔14nm酷睿芯片不用说了,也就是说仅仅用中国电科目前的65nm干式光刻机,就可以让大家享受到苹果7plus加英特尔14nm电脑这种现代化信息时代的生活了(当然这是不考虑现实商品竞争力的情况下)